Samsung Galaxy S10+ con 1 TB, gracias a las memorias eUFS

Ya falta poco para el 20 de febrero, fecha elegida por Samsung para la presentación de sus Samsung Galaxy S10. Poco a poco se van perfilando más detalles sobre estos terminales, de los que hemos podido ver su diseño y algunos datos sobre el hardware que montará. Hoy nos hemos despertado con una nueva noticia bastante interesante: todo apunta a que el Samsung Galaxy S10+ contará con 1 TB de almacenamiento interno. ¿El responsable? Las nuevas memorias eUFS de la compañía.

El doble de capacidad en el mismo espacio: así son las memorias eUFS que ha desarrollado Samsung y que podríamos ver en el Samsung Galaxy S10+

Ha sido la propia compañía la encargada de darnos más datos sobre estas nuevas memorias eUFS de 1 TB. Se trata de un sistema de almacenamiento basado en UFS 2.1, pero con la particularidad de haber logrado una compresión sin predecentes, logrando incluir el doble de capacidad en el mismo espacio. Esto se consigue gracias a 16 capas V-NAND de 512 gigabits. Una auténtica obra de micro ingeniería que podría estrenarse en el Samsung Galaxy S10+.

Las nuevas memorias eUFS de Samsung están basadas en UFS 2.1

Los datos de velocidad no son demasiado sorprendentes, pero sí que se colocan a la cabeza frente a la competencia. La velocidad de lectura es de 1000 MB/s y la de escritura 260 MB/s.

¿Llegará a tiempo para el Samsung Galaxy S10?

Los últimos rumores apuntaban a que el modelo más premium de la nueva familia, el Samsung Galaxy S10+, contaría con 1 TB de almacenamiento, una información que, a la vista de estas nuevas memorias eUFS, cobra aún más fiabilidad.

Según Samsung, estas memorias se comenzarán a fabricar en las próximas semanas. ¿Llegará a tiempo para el Samsung Galaxy S10+? Teniendo en cuenta que se presenta el 20 de febrero y que lo habitual es que tarde aproximadamente un mes en ponerse a la venta, es muy posible que ya podamos ver a este nuevo modelo trabajando con este nuevo sistema de memorias.

Vía | Samsung

GizLogic